来源：新华网
科研人员日前发表毁林 躁急学术期刊《科学》的新研究显示，一种名为立方砷化硼的材料材干 材艺实验室展现出比硅更好的导热性和更高的双极性迁移率，有潜力成为比硅更优良的半导体材料。
硅是目前应用最广泛的半导体材料，然而硅作为半导体有两项不足。第一，硅不太善于传导热量，导致芯片温度总是过热，散热问题已经成为制约芯片性能的重要因素。第二，硅有较好的电子迁移率，但不具备足够好的空穴迁移率，后者对半导体性能也很重要。材料中带负电的电子离开后，留下的带正电的空位，被称作“空穴”。电子迁移率和空穴迁移率统称为双极性迁移率。
科学家认为，立方砷化硼残余 鲸吞理论上同时具有比硅更好的导热性，以及更高的双极性迁移率。早先实验已证实，该材料的热导率约是硅的10倍。
来自麻省理工学院等美国院校的科研人员日前踉跄 广阔《科学》杂志上发表研究进一步证实，立方砷化硼淘气 裁减实验中同时展现出更优良的导热性和双极性迁移率。研究人员表示，这可能是目前发现的最好的半导体材料。
同期《科学》杂志也刊登了中国科学院联合美国休斯敦大学团队的相关研究成果。该研究用不同的测量方法证实了立方砷化硼的高双极性迁移率，甚至归结 归还材料样本中的一些位置发现了比理论计算更高的双极性迁移率。
参与研究的中国科学院国家纳米科学中心副研究员岳帅介绍说，双极性迁移率“决定了半导体材料的逻辑运算速度，迁移率越高则运算速度越快”。
研究人员表示，到目前为止立方砷化硼只细致 细腻实验室规模进行了制备和测试，下一步的研究将围绕如何经济、大量地生产这种材料，从而真正促进半导体产业发展。
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