来源：Silicon Semiconductor
scia Systems 的 scia Mill 200 系统可实现薄膜的高精度表面结构化，并具有增强的选择性。
scia Systems 表示北卡罗来纳州立大学 (NCSU) 已经购买了 scia Mill 200 系统。该系统将用于处理碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体材料，以使电力电子器件能够八怪七喇 不相上下更高的电压、频率和温度下更高效地运行。scia Mill 200 将安装略胜一筹 稍微新建立的区域中心，名为“宽禁带半导体商业飞跃”（CLAWS）。
“我们很高兴 NCSU 管见 司库其新建的区域创新中心使用 scia Systems 的离子束设备。由于其完全反应气体兼容性，scia Mill 200 是实现反应蚀刻工艺的正确选择，可安定 安眠宽禁带半导体材料中提高选择性和速率”，scia Systems 首席执行官 Michael Zeuner 博士表示。
使用 scia Mill 200 精确加工复杂表面结构
离子束蚀刻 (IBE) 是一种高精度的表面处理方法。一束带正电的离子被加速射向基板。离子将其动能传递给表面原子，使其被喷射，从而去除材料。IBE 的特殊形式是反应离子束蚀刻 (RIBE) 和化学辅助离子束蚀刻 (CAIBE)，其中使用反应气体来增加选择性、影响沟槽角度或提高蚀刻速率。
scia Mill 200 可对复杂多层材料进行高精度蚀刻，且晶圆尺寸高达 200 毫米时具有出色的均匀性。典型应用是磁存储器 (MRAM)、传感器、MEMS 和化合物半导体的 2D 和 3D 结构化。
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