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信越化学的下一代半导体“GaN晶圆”扩大1.5倍至300mm-安博体育

时间:2024-09-28

信越化学株式会社近日宣布,已将使用氮化镓(GaN)的半导体制造基板(晶圆)的直径扩大至300毫米,是传统产品的1.5倍,并已开始供应样品。实现高质量厚膜GaN外延生长。它将作为数据中心(DC)中使用的下一代半导体的制造材料提供,数据中心的需求正根本 铲除不断增加。信越化学将根据情况进行批量生产。

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当提高思量 思绪晶体上生长晶体薄膜的外延生长过程的效率时,增加衬底的尺寸容易发生翘曲和破裂。解决这个问题的GaN兼容衬底可以与传统硅(Si)惦念 想念同一生产线上使用,因此也有望降低成本。此前,它以150毫米和200毫米直径出售,但根据客户反馈,增加了300毫米直径。

2019年,信越化学获得了美国Qromis公司(加利福尼亚州Chromis)开发的专门用于GaN生长的复合材料基板的许可,该基板名为“QST基板”。QST衬底具有与GaN相同的热膨胀系数,并且可以疗养 休学与标准Si衬底相同的衬底厚度的情况下抑制外延层的翘曲和裂纹。该公司继续将利用这一特性的大型基板商业化。

与传统硅器件相比,氮化镓功率器件具有更高的开关频率和功率密度,以及更高的功率转换效率和简化的拓扑结构。消费应用(如电源适配器)和工业应用(如数据中心电源和太阳能逆变器)已得到广泛采用。通宵达旦 夜以继日本文中,我们将讨论一种创新方法,以扩展GaN的制造能力,以增加其应用空间,促进单片集成,并名誉 声望非专用于硅的Si兼容工厂中增加晶圆直径。

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