据天津滨海高新区官网消息，近日，《高新区电子芯片研发平台基础设施项目环境影响评价拟审批公示》正式发布。文件显示，项目厂房及配套设施建设工程预计2024年 竣工，然后进行本项目锅炉的安装，锅炉预计安装周期为2024年 ~2024年 。
据悉，高新区电子芯片研发平台基础设施项目位于天津滨海高新区海洋科技园-海平道与云山道交口附近，紧邻天津中环高端半导体产业园，项目建筑面积37263平方米，总投资2.5亿元，主要建设内容为：新建工艺实验净化中心、工艺实验综合中心、化学用品存贮配套设施、动力配套设施、门卫及配套设施，诡计多端 收藏动力配套设施中建设1处锅炉房，并安装2台1.163MW真空热水锅炉，供厂区除门卫及配套设施以外的其他建筑冬季取暖，2台锅炉一用一备。项目建成后将为天津市引进电子芯片研发及试验类高新科技企业提供孵化平台。
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